N-TYPE M2 monocrystalline سلیکن ویفر تفصیلات

N-TYPE M2 monocrystalline سلیکن ویفر تفصیلات

این قسم کے ایم 2 مونوکسٹلائن سلیکن ویفر میں گول کونے کے ساتھ ایک ارد مربع 156.75 × 156.75 ملی میٹر ڈیزائن ہے ، معیاری ماڈیول کی ترتیب اور اصلاح شدہ روشنی کیپچر کے ساتھ مطابقت میں توازن برقرار ہے۔ سی زیڈ کے طریقہ کار اور فاسفورس ڈوپنگ کا استعمال کرتے ہوئے تیار کردہ ، یہ اعلی مادی طہارت پیش کرتا ہے ،<100>واقفیت ، اور کم سندچیوتی کثافت (500 سینٹی میٹر سے کم یا اس کے برابر)۔ این قسم کی چالکتا ، وسیع مزاحمتی حد (0.2–12 ω · سینٹی میٹر) ، اور اعلی اقلیتی کیریئر لائف ٹائم (1000 µs سے زیادہ یا اس کے برابر) کے ساتھ ، یہ اعلی کارکردگی والے سیل ٹکنالوجیوں جیسے ٹاپکون اور ایچ جے ٹی کی حمایت کرتا ہے۔ ایم 2 ویفر مرکزی دھارے میں پی وی ایپلی کیشنز میں مستحکم کارکردگی کے لئے ایک ثابت اور قابل اعتماد شکل بنی ہوئی ہے۔
Share to
انکوائری بھیجنے
چیٹ اب
تصریح
تکنیکی معیار

CZ silicon crystal growth

 

p-type-182mm-monocrystalline-solar-wafer12427330843

 

این قسم کے ایم 2 مونوکسٹلائن سلیکن ویفر میں گول کونے کے ساتھ ایک ارد مربع 156.75 × 156.75 ملی میٹر ڈیزائن ہے ، معیاری ماڈیول کی ترتیب اور اصلاح شدہ روشنی کیپچر کے ساتھ مطابقت میں توازن برقرار ہے۔ سی زیڈ کے طریقہ کار اور فاسفورس ڈوپنگ کا استعمال کرتے ہوئے تیار کردہ ، یہ اعلی مادی طہارت پیش کرتا ہے ،<100>واقفیت ، اور کم سندچیوتی کثافت (500 سینٹی میٹر سے کم یا اس کے برابر)۔ این قسم کی چالکتا ، وسیع مزاحمتی حد (0.2–12 ω · سینٹی میٹر) ، اور اعلی اقلیتی کیریئر لائف ٹائم (1000 µs سے زیادہ یا اس کے برابر) کے ساتھ ، یہ اعلی کارکردگی والے سیل ٹکنالوجیوں جیسے ٹاپکون اور ایچ جے ٹی کی حمایت کرتا ہے۔ ایم 2 ویفر مرکزی دھارے میں پی وی ایپلی کیشنز میں مستحکم کارکردگی کے لئے ایک ثابت اور قابل اعتماد شکل بنی ہوئی ہے۔

 

1. مادی خصوصیات

 

جائیداد

تفصیلات

معائنہ کا طریقہ

نمو کا طریقہ

سی زیڈ

 

کرسٹاللٹی

monocrystalline

ترجیحی اٹچ تکنیک(ASTM F47-88)

چالکتا کی قسم

این ٹائپ

نیپسن EC-80TPN

ڈوپینٹ

فاسفورس

-

آکسیجن حراستی [OI]

سے کم یا اس کے برابر8e +17 at/cm3

ftir (ASTM F121-83)

کاربن حراستی [CS]

سے کم یا اس کے برابر5e +16 at/cm3

ftir (ASTM F123-91)

اٹچ پٹ کثافت (سندچیوتی کثافت)

سے کم یا اس کے برابر500 سینٹی میٹر-2

ترجیحی اٹچ تکنیک(ASTM F47-88)

سطح کی سمت

<100>± 3 ڈگری

ایکس رے پھیلاؤ کا طریقہ (ASTM F26-1987)

سیوڈو مربع اطراف کا رخ

<010>,<001>± 3 ڈگری

ایکس رے پھیلاؤ کا طریقہ (ASTM F26-1987)

 

2. الیکٹرک پراپرٹیز

 

جائیداد

تفصیلات

معائنہ کا طریقہ

مزاحمتی صلاحیت

0.2-2.0 ω.cm
0.5-3.5 ω.cm
1.0-7.0 ω.cm
1.5-12 ω.cm
4-پروب مزاحمتی
پیمائش

ایم سی ایل ٹی (اقلیتی کیریئر لائف ٹائم)

1000 µs سے زیادہ یا اس کے برابر (مزاحمیت > 1.0 ω.cm)
500 µs سے زیادہ یا اس کے برابر (مزاحمیت < 1.0 ω.cm
سنٹن بی سی ٹی -400
عارضی
(انجیکشن لیول کے ساتھ: 5E14 سینٹی میٹر-3)

 

3. جیومیٹری

 

جائیداد

تفصیلات

معائنہ کا طریقہ

جیومیٹری

ارد اسکوائر
ورنیئر کیلیپر
قطر
210 ± 0.25 ملی میٹر
ورنیئر کیلیپر
فلیٹ سے فلیٹ
156.75 ± 0.25 ملی میٹر
ورنیئر کیلیپر
کونے کی لمبائی
8.5 ± 0.5 ملی میٹر
چوڑا نشست مربع/حکمران
کونیی

90 ڈگری ± 0.2 ڈگری

زاویہ حکمران
کونے کی شکل
گول شکل
بصری معائنہ
کھڑا
0.8 ملی میٹر سے کم یا اس کے برابر
 

ٹی ٹی وی (کل موٹائی کی مختلف حالت)

سے کم یا اس کے برابر 27 µm

وافر معائنہ نظام

 

image 31

 

4.سطح کی خصوصیات

 

جائیداد

تفصیلات

معائنہ کا طریقہ

سطح کی کوالٹ
داغ ، تیل ، سکریچ ، شگاف ، گڑھا ، ٹکرانا ،
پنہول اور جڑواں عیب نہیں ہیں
اجازت دی گئی
بصری معائنہ
چپ
سطح کی چپ کی اجازت نہیں ہے۔
ARRIS: چپس متضاد ہیں:
ارس پر 10 سے بھی کم ، DIA ​​0.3 ملی میٹر سے کم یا اس کے برابر ؛
حکمران
سطح روفن
ہوائی جہاز کی سطح: RA سے کم یا اس کے برابر 0.6um ؛
کیمبرڈ سطح: RA 1.0UM سے کم یا اس کے برابر
سطح کی کھردری میٹر

 

 

 

 

ڈاؤن لوڈ، اتارنا ٹیگ: چین ، چین ، سپلائرز ، مینوفیکچررز ، فیکٹری ، چین میں بنایا

انکوائری بھیجنے
انکوائری بھیجنے