ن ٹائپ فل اسکوائر مونوکرسٹل لائن سولر ویفر

ن ٹائپ فل اسکوائر مونوکرسٹل لائن سولر ویفر

سولر پی وی انڈسٹری میں ، ویفر ٹکنالوجی کی منتقلی چھدو مربع 156.75x156.75 ملی میٹر M2 سے بڑے ویلفر سائز میں ایک مکمل اسکوائر 158.75x158.75 ملی میٹر پر آتی ہے اور اس میں پی ٹائپ اور این ٹائپ مونو سی وافرز شامل ہیں۔ آرٹ فل اسکوائر مونو ویفرز نے مربع پیمائش کو بڑھا کر ملٹی وفر کی اسی سطح پر روشنی کی نمائش کو زیادہ سے زیادہ کردیا ہے۔ ویفر ہمیشہ پوری طرح مربع ہوتے ہیں تاکہ وہ PV ماڈیول کو زیادہ سے زیادہ مناسب انداز میں فٹ کر سکیں۔
Share to
انکوائری بھیجنے
چیٹ اب
تصریح
تکنیکی معیار

CZ silicon crystal growth


158.75mm full square monocrystalline solar wafer


سولر پی وی انڈسٹری میں ، ویفر ٹکنالوجی کی منتقلی چھدم چوکور سے ایک تبدیلی ہوتی ہے156.75x156.75 ملی میٹر M2 سے بڑے ویلفر سائز میں مکمل مربع 158.75x158.75 ملی میٹر ہے اور اس میں پی قسم اور ن قسم مونو سی وافر شامل ہیں۔

سٹیٹ آف دی آرٹ فل اسکوائر مونو ویفرز نے مربع پیمائش کو وسعت دے کر ایک ہی سطح کے ملٹی وفر کی روشنی کو زیادہ سے زیادہ کردیا ہے۔ ویفر ہمیشہ پوری طرح مربع ہوتے ہیں تاکہ وہ PV ماڈیول کو زیادہ سے زیادہ مناسب انداز میں فٹ کر سکیں۔

1 مادی خصوصیات

پراپرٹی

تفصیلات

معائنہ کا طریقہ

نمو کا طریقہ

سی زیڈ


کرسٹلنیٹی

مونوکرسٹل لائن

ترجیحی تکنیک کی تکنیک(ASTM F47-88)

چالکتا کی قسم

این قسم

نیپسن EC-80TPN

ڈوپینٹ

فاسفورس

-

آکسیجن حراستی [Oi]

≦8E+17 پر / سینٹی میٹر3

ایف ٹی آئی آر (ASTM F121-83)

کاربن حراستی [Cs]

≦5E+16 پر / سینٹی میٹر3

ایف ٹی آئی آر (ASTM F123-91)

کھجور کی کثافت (سندچیوتی کثافت)

≦500 سینٹی میٹر-3

ترجیحی تکنیک کی تکنیک(ASTM F47-88)

سطح کی واقفیت

[جی جی] ایل ٹی؛ 100 [جی جی] جی ٹی؛ ± 3 °

ایکس رے پھیلاؤ کا طریقہ (ASTM F26-1987)

چھدم مربع اطراف کی واقفیت

[جی جی] ایل ٹی؛ 010 [جی جی] جی ٹی ؛، [جی جی] ایل ٹی؛ 001 [جی جی] جی ٹی؛ ± 3 °

ایکس رے پھیلاؤ کا طریقہ (ASTM F26-1987)

2 بجلی کی خصوصیات

پراپرٹی

تفصیلات

معائنہ کا طریقہ

مزاحمت

0.3-2.1- Cm

1.0-7.0 Ω.cm

ویفر معائنہ کا نظام

ایم سی ایل ٹی (اقلیتی کیریئر کی زندگی بھر)

≧ 1000 μs (ریسٹیویٹی 0.3-2.1 -Cm)
≧500 μs(مزاحمت1.0-7.0 Ω.cm)

عارضی عارضی

3 جیومیٹری


پراپرٹی

تفصیلات

معائنہ کا طریقہ

جیومیٹری

مکمل مربع


ویفر سائیڈ کی لمبائی

158.75 ± 0.25 ملی میٹر

wafer معائنہ کے نظام

ویفر قطر

φ223 ± 0.25 ملی میٹر

wafer معائنہ کے نظام

ملحقہ اطراف کے درمیان زاویہ

90° ± 0.2°

wafer معائنہ کے نظام

موٹائی

180 ﹢ 20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

wafer معائنہ کے نظام

ٹی وی ٹی وی (موٹائی کی مختلف حالتوں)

≤ 27 µm

wafer معائنہ کے نظام



image



4 سطح کی خصوصیات


پراپرٹی

تفصیلات

معائنہ کا طریقہ

کاٹنے کا طریقہ

ڈی ڈبلیو

--

سطح کا معیار

جیسا کہ کٹ اور صاف ہے ، کوئی آلودگی نظر نہیں آتی ہے ، (تیل یا چکنائی ، فنگر پرنٹس ، صابن کے داغ ، گندے داغ ، ایپوسی / گلو داغ کی اجازت نہیں ہے)

wafer معائنہ کے نظام

دیکھا نشان / اقدامات

≤ 15µm

wafer معائنہ کے نظام

رکوع

≤ 40 µm

wafer معائنہ کے نظام

پٹا

≤ 40 µm

wafer معائنہ کے نظام

چپ

گہرائی ≤0.3 ملی میٹر اور لمبائی mm 0.5 ملی میٹر میکس 2 / پی سیز؛ کوئی وی چپ

ننگی آنکھیں یا ویفر انسپکشن سسٹم

مائیکرو دراڑیں / سوراخ

اجازت نہیں ہے

wafer معائنہ کے نظام




ڈاؤن لوڈ، اتارنا ٹیگ: این ٹائپ فل اسکوائر مونوکرسٹل لائن سولر ویفر ، چین ، سپلائرز ، مینوفیکچررز ، فیکٹری ، چین میں بنایا گیا

انکوائری بھیجنے
انکوائری بھیجنے