N-TYPE G1 monocrystalline سلیکن ویفر تفصیلات

N-TYPE G1 monocrystalline سلیکن ویفر تفصیلات

این ٹائپ جی 1 مونوکریسٹل لائن سلیکن ویفر میں ایک مکمل مربع 158.75 × 158.75 ملی میٹر ڈیزائن ہے ، جس میں زیادہ سے زیادہ روشنی کی نمائش اور ماڈیول کی کارکردگی ہے۔ فاسفورس ڈوپنگ کے ساتھ سی زیڈ کے طریقہ کار کا استعمال کرتے ہوئے تیار کیا گیا ، یہ عمدہ مادی معیار ، کم سندچیوتی کثافت (500 سینٹی میٹر سے کم یا اس کے برابر) ، اور اور اس کے برابر پیش کرتا ہے<100>کرسٹل واقفیت این قسم کی چالکتا کے ساتھ ، 0.5–7 ω · سینٹی میٹر کی مزاحمتی حد ، اور کیریئر لائف ٹائم 1000 µs سے زیادہ یا اس کے برابر ، یہ اعلی کارکردگی والے سیل ٹیکنالوجیز جیسے ٹاپکون اور ایچ جے ٹی کے لئے مناسب ہے۔ اس کی مکمل مربع شکل اور سخت ہندسی رواداری زیادہ سے زیادہ ماڈیول انضمام اور کارکردگی کو یقینی بناتی ہے۔
Share to
انکوائری بھیجنے
چیٹ اب
تصریح
تکنیکی معیار

CZ silicon crystal growth

 

158.75mm full square monocrystalline solar wafer

 

این ٹائپ جی 1 مونوکریسٹل لائن سلیکن ویفر میں ایک مکمل مربع 158.75 × 158.75 ملی میٹر ڈیزائن ہے ، جس میں زیادہ سے زیادہ روشنی کی نمائش اور ماڈیول کی کارکردگی ہے۔ فاسفورس ڈوپنگ کے ساتھ سی زیڈ کے طریقہ کار کا استعمال کرتے ہوئے تیار کیا گیا ، یہ عمدہ مادی معیار ، کم سندچیوتی کثافت (500 سینٹی میٹر سے کم یا اس کے برابر) ، اور اور اس کے برابر پیش کرتا ہے<100>کرسٹل واقفیت این قسم کی چالکتا کے ساتھ ، 0.5–7 ω · سینٹی میٹر کی مزاحمتی حد ، اور کیریئر لائف ٹائم 1000 µs سے زیادہ یا اس کے برابر ، یہ اعلی کارکردگی والے سیل ٹیکنالوجیز جیسے ٹاپکون اور ایچ جے ٹی کے لئے مناسب ہے۔ اس کی مکمل مربع شکل اور سخت ہندسی رواداری زیادہ سے زیادہ ماڈیول انضمام اور کارکردگی کو یقینی بناتی ہے۔

 

 

1. مادی خصوصیات

 

جائیداد

تفصیلات

معائنہ کا طریقہ

نمو کا طریقہ

سی زیڈ

 

کرسٹاللٹی

monocrystalline

ترجیحی اٹچ تکنیک(ASTM F47-88)

چالکتا کی قسم

این ٹائپ

نیپسن EC-80TPN

ڈوپینٹ

فاسفورس

-

آکسیجن حراستی [OI]

سے کم یا اس کے برابر8e +17 at/cm3

ftir (ASTM F121-83)

کاربن حراستی [CS]

سے کم یا اس کے برابر5e +16 at/cm3

ftir (ASTM F123-91)

اٹچ پٹ کثافت (سندچیوتی کثافت)

سے کم یا اس کے برابر500 سینٹی میٹر-2

ترجیحی اٹچ تکنیک(ASTM F47-88)

سطح کی واقفیت

<100>± 3 ڈگری

ایکس رے پھیلاؤ کا طریقہ (ASTM F26-1987)

سیوڈو مربع اطراف کی واقفیت

<010>,<001>± 3 ڈگری

ایکس رے پھیلاؤ کا طریقہ (ASTM F26-1987)

 

2. الیکٹرک پراپرٹیز

 

جائیداد

تفصیلات

معائنہ کا طریقہ

مزاحمیت

1.0-7.0 ω.cm

وافر معائنہ نظام

ایم سی ایل ٹی (اقلیتی کیریئر لائف ٹائم)

1000 µs سے زیادہ یا اس کے برابر (مزاحمیت > 1.0ohm.cm)
500 µs سے زیادہ یا اس کے برابر (مزاحمیت < 1.0ohm.cm)
سنٹن بی سی ٹی -400
QSSPC/عارضی
(انجیکشن لیول کے ساتھ: 1E15 سینٹی میٹر -3)

 

3. جیومیٹری

 

جائیداد

تفصیلات

معائنہ کا طریقہ

جیومیٹری

سیوڈو اسکوائر

 
بیول ایج کی شکل
گول  

وافر سائیڈ لمبائی

182 ± 0.25 ملی میٹر

وافر معائنہ نظام

ویفر قطر

φ247 ± 0.25 ملی میٹر

وافر معائنہ نظام

ملحقہ اطراف کے درمیان زاویہ

90 ڈگری ± 0.2 ڈگری

وافر معائنہ نظام

موٹائی

180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
وافر معائنہ نظام

ٹی ٹی وی (کل موٹائی کی مختلف حالت)

سے کم یا اس کے برابر 27 µm

وافر معائنہ نظام

 

image 29

 

4.سطح کی خصوصیات

 

جائیداد

تفصیلات

معائنہ کا طریقہ

کاٹنے کا طریقہ

dw

--

سطح کا معیار

جیسا کہ کٹ اور صاف کیا جاتا ہے ، کوئی مرئی آلودگی نہیں ، (تیل یا چکنائی ، انگلی کے پرنٹس ، صابن کے داغ ، گندگی کے داغ ، ایپوسی/گلو داغ کی اجازت نہیں ہے)

وافر معائنہ نظام

نشانات / اقدامات دیکھا

15µm سے کم یا اس کے برابر

وافر معائنہ نظام

دخش

40 µm سے کم یا اس کے برابر

وافر معائنہ نظام

وارپ

40 µm سے کم یا اس کے برابر

وافر معائنہ نظام

چپ

گہرائی 0.3 ملی میٹر سے کم یا اس کے برابر اور لمبائی 0.5 ملی میٹر زیادہ سے زیادہ 2/پی سی سے کم یا اس کے برابر ہے۔ کوئی وی چپ نہیں ہے

ننگی آنکھیں یا ویفر معائنہ کا نظام

مائکرو دراڑ / سوراخ

اجازت نہیں ہے

وافر معائنہ نظام

 

 

 

 

ڈاؤن لوڈ، اتارنا ٹیگ: چین ، چین ، سپلائرز ، مینوفیکچررز ، فیکٹری ، چین میں بنائے گئے این ٹائپ جی 1 مونوکریسٹل لائن سلیکن ویفر تفصیلات ، فیکٹری

انکوائری بھیجنے
انکوائری بھیجنے