پی ٹائپ ایم 4 مونوکرسٹل لائن سولر ویفر

نمو کا طریقہ

سی زیڈ

کرسٹلنیٹی

مونوکرسٹل لائن

ترجیحی تکنیک کی تکنیک（ASTM F47-88）

چالکتا کی قسم

پی قسم

نیپسن EC-80TPN

P/N

ڈوپینٹ

بورن ، گیلیم

-

آکسیجن حراستی [Oi]

≦8E+17 پر / سینٹی میٹر³

ایف ٹی آئی آر (ASTM F121-83)

کاربن حراستی [Cs]

≦5E+16 پر / سینٹی میٹر³

ایف ٹی آئی آر (ASTM F123-91)

کھجور کی کثافت (سندچیوتی کثافت)

≦500 سینٹی میٹر^-3

ترجیحی تکنیک کی تکنیک（ASTM F47-88）

سطح کی واقفیت

[جی جی] ایل ٹی؛ 100 [جی جی] جی ٹی؛ ± 3 °

ایکس رے پھیلاؤ کا طریقہ (ASTM F26-1987)

چھدم مربع اطراف کی واقفیت

[جی جی] ایل ٹی؛ 010 [جی جی] جی ٹی ؛، [جی جی] ایل ٹی؛ 001 [جی جی] جی ٹی؛ ± 3 °

ایکس رے پھیلاؤ کا طریقہ (ASTM F26-1987)

مزاحمت

0.5-1.5 .CM

ویفر معائنہ کا نظام

ایم سی ایل ٹی (اقلیتی کیریئر کی زندگی بھر)

≧50 μs

سنٹن بی سی ٹی 400

(انجیکشن لیول کے ساتھ: 1E15) سینٹی میٹر^-3)

جیومیٹری

نیم مربع

ویفر سائیڈ کی لمبائی

161.7 ± 0.25 ملی میٹر

wafer معائنہ کے نظام

ویفر قطر

21221 ± 0.25 ملی میٹر

wafer معائنہ کے نظام

ملحقہ اطراف کے درمیان زاویہ

90° ± 0.2°

wafer معائنہ کے نظام

موٹائی

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

ٹی وی ٹی وی (موٹائی کی مختلف حالتوں)

≤27 µm

wafer معائنہ کے نظام

کاٹنے کا طریقہ

ڈی ڈبلیو

--

سطح کا معیار

جیسا کہ کٹ اور صاف ہے ، کوئی آلودگی نظر نہیں آتی ہے ، (تیل یا چکنائی ، فنگر پرنٹس ، صابن کے داغ ، گندے داغ ، ایپوسی / گلو داغ کی اجازت نہیں ہے)

wafer معائنہ کے نظام

دیکھا نشان / اقدامات

≤ 15µm

wafer معائنہ کے نظام

رکوع

≤ 40 µm

wafer معائنہ کے نظام

پٹا

≤ 40 µm

wafer معائنہ کے نظام

چپ

گہرائی ≤0.3 ملی میٹر اور لمبائی mm 0.5 ملی میٹر میکس 2 / پی سیز؛ کوئی وی چپ

ننگی آنکھیں یا ویفر انسپکشن سسٹم

مائیکرو دراڑیں / سوراخ

اجازت نہیں ہے

wafer معائنہ کے نظام