ماخذ: www.ise.fraunhofer.de
ممکنہ طور پر دبلی پتلی عمل کے تسلسل کو محفوظ رکھتے ہوئے انچارج کیریئر سلیکٹ روابط کا استعمال اعلی شمسی سیل افادیت کا ادراک کرتا ہے۔ مکمل ایریا چارج کیریئر سلیکٹو بیک سائیڈ رابطے والے این قسم کے شمسی سیل کے لئے 25.3 فیصد کے ساتھ ، فرینہوفر آئی ایس ای نے دونوں اطراف سے رابطے والے سیلیکن شمسی خلیوں کا عالمی ریکارڈ اپنے نام کیا ہے۔ ن قسم کی سلکان نجاست کو اعلی رواداری کا فائدہ پیش کرتی ہے۔ تاہم ، پی قسم سلکان کے مقابلہ میں کم علیحدگی قابلیت کی وجہ سے ، بنیاد مزاحمت میں تغیر بڑھتا ہے۔ شمسی خلیات کے چار جہتی کیریئر سلیکٹ روابط کے ساتھ ایک جہتی موجودہ بہاؤ کا شکریہ ، بنیادی مزاحمت سیل کی کارکردگی کو نمایاں طور پر متاثر نہیں کرتی ہے۔ پہلی بار یہ مظاہرہ کیا گیا کہ 1 اور 10ΩCM کے درمیان بیس ریزیینسس کے ل 25 25 than سے زیادہ صلاحیتوں کو حاصل کیا جاسکتا ہے۔
فریونہوفر آئی ایس ای پر تیار کردہ چارج کیریئر سلیکٹ رابطہ ٹاپکون (سرنگ آکسائڈ پاسیویٹٹ رابطہ) ایک پتلی سلکان پرت کے ساتھ مل کر ایک انتہائی پتلی سرنگ آکسائڈ پر مبنی ہے اور بہترین انچارج کیریئر انتخاب کو قابل بناتا ہے۔ اس TOPCon کا بیک سائیڈ (سیل ڈھانچہ ، تصویر 1 ، 20´20 ملی میٹر) استعمال کرنا2) ، 25.3 of کی کارکردگی کی ریکارڈ ڈگری (Voc= 718mV ، Js= 42.5 ایم اے / سینٹی میٹر2، FF=82.8٪) ن-ٹائپ سلیکن پر حاصل کیا جاسکتا ہے جس میں دونوں طرف سے شمسی سیل سے رابطہ کیا جاتا ہے۔
انتہائی موثر شمسی خلیوں کی تیاری کے لئے سلکان وفر کا معیار ضروری ہے۔ نجاستوں کی اعلی رواداری کے ساتھ ساتھ روشنی سے متاثرہ انحطاط (LID) کی کمی کی وجہ سے ، فی الحال اعلی کارکردگی کی اعلی ڈگری ن قسم سلیکن (لیب میں اور ساتھ ہی پیداوار میں) پر حاصل کی جاتی ہے۔ تاہم ، پی قسم سلکان کے مقابلے میں ن-الگ سلیکن کے نچلے علیحدگی قابلیت کرسٹل نمو کے دوران بنیاد مزاحمت میں اعلی تغیر کا سبب بنتی ہے۔ واضح پس منظر ڈھانچے (پی ای آر سی ، آئی بی سی) والے شمسی خلیوں کے ل base ، کچھ بیس مزاحمت والے صرف سلیکن وفرز ہیں اور اس طرح ، پوری کرسٹل چھڑی کا صرف ایک حصہ استعمال کیا جاسکتا ہے۔ تاہم ، TOPCon شمسی سیل کی بنیاد میں ایک جہتی موجودہ بہاؤ کی وجہ سے ، بنیاد مزاحمت کا شمسی سیل کی کارکردگی پر کوئی خاص اثر نہیں پڑتا ہے۔ ہم یہ ظاہر کرنے میں کامیاب تھے کہ اعلی کارکردگی کی اعلی ڈگری کے لئے عملی اطلاق میں بھی اس کا اطلاق کیا جاسکتا ہے۔ ہم 1 اور 10ΩCM کے درمیان بنیادی مزاحمت کے ل for ien 25 ≥ صلاحیتوں کو حاصل کرتے ہیں۔ اوپن سرکٹ وولٹیجز (Voc) [جی جی] جی ٹی 7 715 ایم وی اور بھرنے والے عوامل (ایف ایف) [جی جی] جی ٹی all تمام بنیاد مزاحمت کے لces 81.5٪ حاصل کیے گئے۔
